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Balancing Threshold Voltage And On-resistance of P-gan Gate Hemts Via Mg Doping Engineering

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论文名称：Balancing Threshold Voltage And On-resistance of P-gan Gate Hemts Via Mg Doping Engineering

发表刊物：IEEE Transactions on Electron Devices

通讯作者：李祥东

是否译文：否

发表时间：2025-08-01

发布时间：2025-11-18

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