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    李祥东

    • 教授 博士生导师 硕士生导师
    • 主要任职：广州第三代半导体创新中心副主任
    • 性别：男
    • 学历：博士研究生毕业
    • 学位：博士研究生毕业
    • 在职信息：在岗
    • 所在单位：广州研究院
    • 入职时间： 2021-03-01
    • 学科：微电子学与固体电子学. 集成电路系统设计
    • 办公地点：广州市黄埔区中新广州知识城广州第三代半导体创新中心
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    专利

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    一种增强型槽栅 MIS-HEMT 器件及其制备方法

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      专利名称：一种增强型槽栅 MIS-HEMT 器件及其制备方法

      所属单位：广州研究院

      第一作者：李祥东

      专利类型：发明

      专利状态：实审

      申请号：CN202411781595.9

      授权号：CN202411781595.9

      发明人数：5

      是否职务专利：否

      申请日期：2024-12-05

      发布时间：2025-11-08


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