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刘莉

个人信息Personal Information

副教授

性别:女

毕业院校:西安电子科技大学

学历:博士研究生毕业

学位:博士研究生毕业

在职信息:在岗

所在单位:微电子学院

入职时间:2003-04-01

办公地点:老校区新科技楼A510

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专利

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分区复合栅结构SiCDMISFET器件的制作方法

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专利名称:分区复合栅结构SiCDMISFET器件的制作方法

所属单位:100900

教研室:1114

专利范围:1

第一作者:刘莉

专利类型:发明专利

申请号:201510141415.5

发明人数:2

是否职务专利:否

申请日期:2015-03-27

授权日期:2017-10-20