|
个人信息Personal Information
教授 博士生导师 硕士生导师
性别：男
毕业院校：西安电子科技大学
学历：博士研究生毕业
学位：博士研究生毕业
在职信息：在岗
所在单位：微电子学院
入职时间：2007-06-01
学科：微电子学与固体电子学
联系方式：
电子邮箱：
扫描关注
GaN-based super-lattice Schottky barrier diode with low forward voltage of 0.81V
点击次数：
论文名称：GaN-based super-lattice Schottky barrier diode with low forward voltage of 0.81V
发表刊物：Superlattices and Microstructures
卷号："Vol. 156,
期号：106952
是否译文：否
发表时间：2021-06-01
收录刊物：SCI
上一条：Lattice-matched AlInN_GaN multi-channel__heterostructure and HEMTs with low onresistance
下一条：Comparative Study of Characteristics and Interface States with and without Post-Gate-Annealing Treatment for AlGaN/GaN-Recessed Metal–Insulator–Semiconductor High Electron Mobility Transistors Using HfO2 Gate Insulator on Si Substrates